DTC114ESATP (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

DTC114ESATP (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 37807
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details DTC114ESATP (Bipolartransistor NPN)

  • TRANSISTOR
  • DIGITAL
  • SPT
  • NPN
  • Transistor Type:General Purpose
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V
  • Max Current Ic Continuous a:100mA
  • Power Dissipation:300mW
  • Min Hfe:30
  • Typ Gain Bandwidth ft:250MHz
  • Case Style:SC-72
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • DC Collector Current:100mA
  • DC Current Gain hFE:30
  • Power Dissipation Pd:300mW
  • Transistor Case Style:SC-72

Preis DTC114ESATP (Bipolartransistor NPN) ab 0 EUR bis 0 EUR

DTC114ESATP
DTC114ESATP
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC114ESATP - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 300 mW, SC-72, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 30
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: MSL 1 - Unlimited
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: SC-72
Transition Frequency ft: 250
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
105821.pdf
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DTC114ESA TP
Hersteller: ROHM
TO92
121 Stücke
DTC114ESATP
Hersteller:
DTC114ESA 100mA, 50V Digital transistors (bipolar NPN), R1=10K, R2=10K CS-72 ()
dtc114ee.pdf
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DTC114ESATP
Hersteller: ROHM
TRANSISTOR DIGITAL SPT NPN Transistor Polarity NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo 50V Gain Bandwidth ft Typ 250MHz Power Dissipation Pd 300mW DC Collector Current 100mA Operating Temperature
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
dtc114ee.pdf
auf Bestellung 4985 Stücke
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
DTC114ESA-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - Pre-Biased
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DTC114ESATP
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
105821-1201482.pdf
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DTC114ESATP
DTC114ESATP
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Supplier Device Package: SPT
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 300mW
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Box (TB)
dtc114ee.pdf
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