DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.056 EUR |
| 6000+ | 0.05 EUR |
| 9000+ | 0.047 EUR |
| 15000+ | 0.043 EUR |
| 21000+ | 0.041 EUR |
| 30000+ | 0.039 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DTC114EU3T106 nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114EU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 21964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC114EU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 16650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DTC114EU3T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3 |
auf Bestellung 10791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC114EU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 42079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC114EU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
DTC114EU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DTC114EU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
DTC114EU3T106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |