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DTC114EUBTL

DTC114EUBTL Rohm Semiconductor

dtc114eetl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
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Technische Details DTC114EUBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3F, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC114EUBTL DTC114EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114eetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
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DTC114EUBTL DTC114EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114eetl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
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DTC114EUBTL DTC114EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114eebtl-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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DTC114EUBTL DTC114EUBTL Hersteller : ROHM Semiconductor dtc114eebtl-e.pdf Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
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DTC114EUB TL Hersteller : ROHM SOT23/SOT323
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DTC114EUBTL DTC114EUBTL Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114eebtl-e.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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