DTC114TSATP (Bipolartransistor NPN) (Rohm) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

DTC114TSATP (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 28218
Hersteller: Rohm
Gehäuse: TO-92S
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 600
Bem.: 10k+10k

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Technische Details DTC114TSATP (Bipolartransistor NPN)

  • TRANSISTOR
  • DIGITAL
  • SPT
  • NPN
  • Transistor Type:General Purpose
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V
  • Max Current Ic Continuous a:10mA
  • Max Voltage Vce Sat:300mV
  • Power Dissipation:300mW
  • Min Hfe:100
  • Typ Gain Bandwidth ft:250MHz
  • Case Style:SC-72
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • DC Collector Current:10mA
  • DC Current Gain hFE:250
  • Power Dissipation Pd:300mW
  • Transistor Case Style:SC-72

Preis DTC114TSATP (Bipolartransistor NPN) ab 0 EUR bis 0 EUR

DTC114TSATP
DTC114TSATP
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC114TSATP - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 10 mA, 300 mW, SC-72, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 250
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: MSL 1 - Unlimited
DC Collector Current: 10
Transistor Case Style: SC-72
Transition Frequency ft: 250
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
dtc114te.pdf
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DTC114TSATP
Hersteller: ROHM
TRANSISTOR DIGITAL SPT NPN Transistor Polarity NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo 50V Gain Bandwidth ft Typ 250MHz Power Dissipation Pd 300mW DC Collector Current 10mA Operating Temperature
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
dtc114tka.pdf
auf Bestellung 3784 Stücke
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
DTC114TSATP
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
rohm semiconductor_dtc114te-1201544.pdf
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DTC114TSATP
DTC114TSATP
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 300mW
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Box (TB)
Supplier Device Package: SPT
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