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DTC114WU3HZGT106

DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor


dtc114wu3hzgt106-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114wu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R
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DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc114wu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
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DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors NPN, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
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DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Hersteller : ROHM 4117215.pdf Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
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DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Hersteller : ROHM 4117215.pdf Description: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
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DTC114WU3HZGT106 DTC114WU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114WU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
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