DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor
auf Bestellung 42570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2387+ | 0.065 EUR |
| 2393+ | 0.063 EUR |
| 2794+ | 0.052 EUR |
| 3000+ | 0.047 EUR |
| 6000+ | 0.042 EUR |
| 24000+ | 0.038 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Produktpalette: DTC114Y Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote DTC114YUAT106 nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC114YUAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 91412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114YUAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114YUAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
auf Bestellung 8695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114YUAT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTC114Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
DTC114YUAT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTC114Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| DTC114YUAT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTC114YUAT106 NPN SMD transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
 |
DTC114YUAT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGIT NPN 50V 100MA SOT-323 |
Produkt ist nicht verfügbar |