DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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Technische Details DTC115GU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -999kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -888V.
Weitere Produktangebote DTC115GU3T106 nach Preis ab 0.057 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DTC115GU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
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DTC115GU3T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323 |
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DTC115GU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -999kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -888V |
auf Bestellung 5995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC115GU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -999kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -888V |
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