DTC115TMT2L Rohm Semiconductor
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Technische Details DTC115TMT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC115TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -999kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -888V.
Weitere Produktangebote DTC115TMT2L nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DTC115TMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
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DTC115TMT2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL NPN |
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DTC115TMT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC115TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -999kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -888V |
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DTC115TMT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC115TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -999kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -888V |
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DTC115TMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
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DTC115TMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
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