Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > DTC123EU3HZGT106
DTC123EU3HZGT106

DTC123EU3HZGT106 ROHM Semiconductor


datasheet?p=DTC123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 0.1A 2.2kO SOT-323
auf Bestellung 501 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
57+0.93 EUR
69+ 0.76 EUR
130+ 0.4 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DTC123EU3HZGT106 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - DTC123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC123E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote DTC123EU3HZGT106 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DTC123EU3HZGT106 DTC123EU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.99 EUR
33+ 0.81 EUR
100+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
DTC123EU3HZGT106 DTC123EU3HZGT106 Hersteller : ROHM 2703264.pdf Description: ROHM - DTC123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC123EU3HZGT106 DTC123EU3HZGT106 Hersteller : ROHM 2703264.pdf Description: ROHM - DTC123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC123EU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
895+0.18 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 895
DTC123EU3HZGT106 DTC123EU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar