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DTC123EU3T106

DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor

dtc123eu3t106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC123E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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2305+0.075 EUR
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2500+0.075 EUR
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 6312 Stücke:
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1513+0.11 EUR
2093+0.08 EUR
2416+0.068 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 954 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3857 Stücke:
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2000+0.12 EUR
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
auf Bestellung 10192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.24 EUR
532+0.15 EUR
794+0.11 EUR
940+0.09 EUR
1337+0.063 EUR
1525+0.056 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.043 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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1421+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM dtc123ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 720 Stücke:
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646+0.39 EUR
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 ROHM dtc123ee3-e.pdf Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 720 Stücke:
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646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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DTC123EU3T106 DTC123EU3T106 Rohm Semiconductor dtc123eu3t106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2305+0.075 EUR
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DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2500+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 2208 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 6312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
954+0.18 EUR
1513+0.11 EUR
2093+0.08 EUR
2416+0.068 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 954 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1330+0.19 EUR
2000+0.12 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1330 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
auf Bestellung 10192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.24 EUR
532+0.15 EUR
794+0.11 EUR
940+0.09 EUR
1337+0.063 EUR
1525+0.056 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.043 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 5861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1421+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DTC123EU3T106 datasheet?p=DTC123EU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTC123EU3T106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
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DTC123EU3T106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
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