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DTC143EET1G ON Semiconductor

Name: DTC143EET1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 147089-5
Price: 143.36 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

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Technische Details DTC143EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DTC143EET1G nach Preis ab 0.021 EUR bis 0.28 EUR

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DTC143EET1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

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6000+	0.041 EUR
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DTC143EET1G

Hersteller : ON Semiconductor

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6000+	0.042 EUR
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15000+	0.033 EUR
21000+	0.032 EUR
30000+	0.029 EUR
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150000+	0.023 EUR
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DTC143EET1G

Hersteller : ON Semiconductor

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3279+	0.044 EUR
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15000+	0.033 EUR
21000+	0.032 EUR
30000+	0.029 EUR
75000+	0.025 EUR
150000+	0.023 EUR
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DTC143EET1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

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3000+	0.053 EUR
6000+	0.047 EUR
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15000+	0.041 EUR
21000+	0.039 EUR
30000+	0.037 EUR
75000+	0.033 EUR
150000+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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DTC143EET1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

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1553+	0.096 EUR
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5000+	0.045 EUR
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DTC143EET1G

Hersteller : onsemi

Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN

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12+	0.24 EUR
25+	0.12 EUR
100+	0.083 EUR
500+	0.07 EUR
1000+	0.063 EUR
3000+	0.046 EUR

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DTC143EET1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

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63+	0.28 EUR
109+	0.16 EUR
175+	0.1 EUR
500+	0.073 EUR
1000+	0.064 EUR

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DTC143EET1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

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DTC143EET1G

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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DTC143EET1G

Hersteller : ONSEMI

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DTC143EET1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

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DTC143EET1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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DTC143EET1G

Hersteller : ON-Semicoductor

NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+4.7k DTC143EET1G TDTC143eet1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

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1000+	0.041 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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DTC143EET1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

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DTC143EET1G

Hersteller : ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 30

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