DTC143ZET1G
Produktcode: 189553
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Weitere Produktangebote DTC143ZET1G nach Preis ab 0.057 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DTC143ZET1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 39273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 50135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 50135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...200 |
auf Bestellung 8085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 102 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| DTC143ZET1G | ON-Semiconductor |
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 85 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.064 EUR |
| 6000+ | 0.057 EUR |
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.075 EUR |
| 9000+ | 0.068 EUR |
| 27000+ | 0.065 EUR |
| 51000+ | 0.062 EUR |
| 102000+ | 0.06 EUR |
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 39273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 0.33 EUR |
| 105+ | 0.2 EUR |
| 170+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.089 EUR |
| 1000+ | 0.079 EUR |
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 637+ | 0.39 EUR |
| 1147+ | 0.2 EUR |
| 1822+ | 0.12 EUR |
| 2434+ | 0.088 EUR |
| 2833+ | 0.076 EUR |
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 637+ | 0.39 EUR |
| 1147+ | 0.2 EUR |
| 1822+ | 0.12 EUR |
| 2434+ | 0.088 EUR |
| 2833+ | 0.076 EUR |
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...200
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...200
auf Bestellung 8085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.082 EUR |
| DTC143ZET1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 85 Stücke: