DTC143ZET1G
Produktcode: 189553
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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DTC143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 50135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC143ZET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 50135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC143ZET1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DTC143ZET1G | Hersteller : On Semiconductor |
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: S Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 85 Stücke: |
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DTC143ZET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DTC143ZET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DTC143ZET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DTC143ZET1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DTC143ZET1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 80...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |