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DTC143ZET1G

DTC143ZET1G ON Semiconductor

dtc143zd.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTC143ZET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143zd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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6000+0.033 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.028 EUR
21000+0.023 EUR
30000+0.022 EUR
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143zd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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3760+0.039 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.028 EUR
21000+0.023 EUR
30000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3760
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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6000+0.042 EUR
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21000+0.034 EUR
30000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143zd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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1920+0.076 EUR
2526+0.056 EUR
3004+0.045 EUR
4348+0.03 EUR
6452+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1920
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ONSEMI dtc143z-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...200
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
715+0.1 EUR
834+0.086 EUR
1147+0.062 EUR
1323+0.054 EUR
1530+0.047 EUR
2041+0.035 EUR
2393+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 715
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ONSEMI dtc143z-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...200
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
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834+0.086 EUR
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1323+0.054 EUR
1530+0.047 EUR
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3000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 715
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143zd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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1211+0.11 EUR
1902+0.069 EUR
1920+0.065 EUR
2526+0.048 EUR
3004+0.038 EUR
4348+0.026 EUR
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DTC143ZET1G
Produktcode: 189553
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : onsemi DTC143Z-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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3000+0.042 EUR
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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122+0.14 EUR
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500+0.065 EUR
1000+0.057 EUR
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 594000 Stücke:
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DTC143ZET1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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DTC143ZET1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis
500+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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DTC143ZET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Транзистор цифровий; Тип стр. = NPN; Ic = 0,1; ft, МГц = 250; hFE = 80 @ 10mA, 5V; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25; Uсe, B = 50; Опис Транзистор цифровий; Р, Вт = 0.2; Тексп, °C = -55...+150; SC-75
auf Bestellung 200 Stücke:
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DTC143ZET1G DTC143ZET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143zd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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