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DTD113ECHZGT116

DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor


dtd113echzg-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DTD113ECHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor dtd113echzg-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : ROHM Semiconductor dtd113echzg_e-1872729.pdf Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : ROHM dtd113echzg-e.pdf Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : ROHM dtd113echzg-e.pdf Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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DTD113ECHZGT116 DTD113ECHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTD113ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
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