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DTD114GCT116

DTD114GCT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTD114GC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
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Technische Details DTD114GCT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R2 Only.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTD114GCT116 DTD114GCT116 Rohm Semiconductor 41dtd114gct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DTD114GCT116 DTD114GCT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD114GC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
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DTD114GCT116 DTD114GCT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD114GC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
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DTD114GCT116 DTD114GCT116 Rohm Semiconductor 41dtd114gct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
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