DTD543EE3TL

DTD543EE3TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTD543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Technische Details DTD543EE3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTD543E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTD543EE3TL DTD543EE3TL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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DTD543EE3TL DTD543EE3TL Hersteller : ROHM dtd543ee3tl-e.pdf Description: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTD543EE3TL DTD543EE3TL Hersteller : Rohm Semiconductor dtd543ee3tl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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DTD543EE3TL DTD543EE3TL Hersteller : ROHM dtd543ee3tl-e.pdf Description: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTD543EE3TL DTD543EE3TL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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