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DTD543EMT2L

DTD543EMT2L Rohm Semiconductor

dtd543emt2l-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
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Technische Details DTD543EMT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 260 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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DTD543EMT2L DTD543EMT2L Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DTD543EMT2L DTD543EMT2L Hersteller : Rohm Semiconductor dtd543emt2l-e.pdf Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
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DTD543EMT2L DTD543EMT2L Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD543EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors TRANSISTOR
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DTD543EMT2L DTD543EMT2L Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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