DTD543EMT2L Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
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Technische Details DTD543EMT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 260 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: VMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTD543EMT2L DTD543EMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
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DTD543EMT2L DTD543EMT2L Rohm Semiconductor dtd543emt2l-e.pdf Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
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DTD543EMT2L DTD543EMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
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DTD543EMT2L DTD543EMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD543EM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors TRANSISTOR
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Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
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Package / Case: SOT-723
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Resistors Included: R1 and R2
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Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
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