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Technische Details DTDG23YPT100 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DTDG23YPT100 nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DTDG23YPT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
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DTDG23YPT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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DTDG23YPT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| DTDG23YPT100 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTDG23YPT100 NPN SMD transistors |
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DTDG23YPT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
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