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DXT13003DG-13

DXT13003DG-13 Diodes Incorporated

DXT13003DG.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.28 EUR
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25000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details DXT13003DG-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXT13003DG.pdf Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 67818 Stücke:
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DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXT13003DG.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
auf Bestellung 3947 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.24 EUR
10+0.77 EUR
100+0.49 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.26 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1215 Stücke:
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DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Hersteller : Diodes Inc dxt13003dg.pdf Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DXT13003DG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DXT13003DG.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Collector-emitter voltage: 450V
Current gain: 5...40
Collector current: 1.3A
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2500pcs.
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DXT13003DG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DXT13003DG.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Collector-emitter voltage: 450V
Current gain: 5...40
Collector current: 1.3A
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 2500pcs.
Mounting: SMD
Case: SOT223
Frequency: 4MHz
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