DXT13003DG-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
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Technische Details DXT13003DG-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1.3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DXT13003DG-13 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 700 mW |
auf Bestellung 6282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV |
auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT13003DG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT13003DG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| DXT13003DG-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| DXT13003DG-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
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Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
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| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| DXT13003DG-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
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| 2+ | 1.82 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 2500+ | 0.42 EUR |
| DXT13003DG-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 160+ | 1.45 EUR |
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| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| DXT13003DG-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| 109+ | 2.3 EUR |
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| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| DXT13003DG-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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