DXT2013P5-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.39 EUR |
| 10000+ | 0.36 EUR |
| 15000+ | 0.35 EUR |
| 25000+ | 0.34 EUR |
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Technische Details DXT2013P5-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DXT2013P5-13 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 204295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A |
auf Bestellung 2461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT2013P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DXT2013P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DXT2013P5-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 1.69 EUR |
| 17+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| DXT2013P5-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
auf Bestellung 2461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.71 EUR |
| 10+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| DXT2013P5-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXT2013P5-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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