DXT2013P5-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DXT2013P5-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 3.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DXT2013P5-13 nach Preis ab 3.12 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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DXT2013P5-13 | DIODES INC. |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT2013P5-13 | DIODES INC. |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 80+ | 3.12 EUR |
| DXT2013P5-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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