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DXT2013P5-13

DXT2013P5-13 Diodes Incorporated

ds32010.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
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Technische Details DXT2013P5-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 3.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote DXT2013P5-13 nach Preis ab 0.46 EUR bis 3.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 Diodes Incorporated ds32010.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
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2+2.23 EUR
10+1.02 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
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DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 DIODES INC. DIODS12589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
172+1.34 EUR
197+1.09 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
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DXT2013P5-13 DXT2013P5-13 DIODES INC. DIODS12589-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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DXT2013P5-13
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Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5
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Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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