DXT2013P5-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
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Technische Details DXT2013P5-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DXT2013P5-13 nach Preis ab 0.37 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DXT2013P5-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A |
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DXT2013P5-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W |
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DXT2013P5-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT2013P5-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT2013P5-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R |
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