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DXT2222A-13

DXT2222A-13 Diodes Zetex

ds31156.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details DXT2222A-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DXT2222A-13 DXT2222A-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 750mW
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Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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DXT2222A-13 DXT2222A-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 600mA
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Wandlerpolarität: NPN
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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DXT2222A-13 DXT2222A-13 Diodes Incorporated DXT2222A.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
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DXT2222A-13
DXT2222A-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
auf Bestellung 1303 Stücke:
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