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DXT5551P5-13

DXT5551P5-13 Diodes Zetex

dxt5551p5.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
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Technische Details DXT5551P5-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.25W, Bauform - Transistor: PowerDI5, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : Diodes Zetex dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : Diodes Zetex dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
auf Bestellung 290000 Stücke:
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
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3+1.10 EUR
10+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXT5551P5.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
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23+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS13335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4360 Stücke:
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS13335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DXT5551P5-13 DXT5551P5-13 Hersteller : Diodes Inc dxt5551p5.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
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DXT5551P5-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DXT5551P5.pdf DXT5551P5-13 NPN SMD transistors
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