Technische Details DXT5551P5-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DXT5551P5-13 nach Preis ab 0.24 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DXT5551P5-13 | Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R |
auf Bestellung 155000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT5551P5-13 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA |
auf Bestellung 16450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W |
auf Bestellung 5041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXT5551P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXT5551P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
auf Bestellung 155000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.24 EUR |
| DXT5551P5-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.24 EUR |
| DXT5551P5-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
auf Bestellung 16450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.43 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |
| DXT5551P5-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.7 EUR |
| 20+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| DXT5551P5-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 197+ | 1.18 EUR |
| 304+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| DXT5551P5-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 197+ | 1.18 EUR |
| 304+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |