DXTN10060DFJBQ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.24 EUR |
| 9000+ | 0.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DXTN10060DFJBQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DXTN10060DFJBQ-7 nach Preis ab 0.27 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DXTN10060DFJBQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 40449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
DXTN10060DFJBQ-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
 |
DXTN10060DFJBQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
DXTN10060DFJBQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DXTN10060DFJBQ-7 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.94 EUR |
| 29+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| DXTN10060DFJBQ-7 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| DXTN10060DFJBQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXTN10060DFJBQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)