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DXTP3C100PSQ-13

DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated

DXTP3C100PSQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.34 EUR
5000+0.32 EUR
12500+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DXTP3C100PSQ-13 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXTP3C100PSQ.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 64770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1 EUR
21+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737041_1-2542698.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.02 EUR
10+0.87 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DXTP3C100PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DXTP3C100PSQ-13 DXTP3C100PSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005737041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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DXTP3C100PSQ-13 Hersteller : Diodes Inc dxtp3c100psq.pdf Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
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DXTP3C100PSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DXTP3C100PSQ.pdf DXTP3C100PSQ-13 PNP SMD transistors
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