Technische Details E2E-X4B3DL12 5M OMRON
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R.
Weitere Produktangebote E2E-X4B3DL12 5M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| E2E-X4B3DL12 5M | Hersteller : Omron Automation and Safety |
 Description: SENSOR INDUCT 4MM PNP M12 NO/NC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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E2E-X4B3DL12 5M | Hersteller : Omron Automation and Safety |
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R |
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