
E4D20120G Wolfspeed, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
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Anzahl | Preis |
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Technische Details E4D20120G Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 56A, Supplier Device Package: TO-263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote E4D20120G nach Preis ab 24.57 EUR bis 36.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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E4D20120G | Hersteller : Wolfspeed |
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E4D20120G | Hersteller : Wolfspeed |
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