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Technische Details E4D20120G Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 56A, Supplier Device Package: TO-263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote E4D20120G nach Preis ab 24.61 EUR bis 37.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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E4D20120G | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
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E4D20120G | Hersteller : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 56A Automotive Tube |
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