Produkte > ONSEMI > ECH8308-TL-H
ECH8308-TL-H

ECH8308-TL-H onsemi

ech8308-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 6 V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.01 EUR
14+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ECH8308-TL-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: 8-ECH, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 6 V.

Weitere Produktangebote ECH8308-TL-H nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ECH8308-TL-H ECH8308-TL-H Hersteller : onsemi ech8308-d.pdf MOSFETs SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.06 EUR
10+1.32 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8308-TL-H ECH8308-TL-H Hersteller : ON Semiconductor ECH8308-D-1803560.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 4079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8308-TL-H ECH8308-TL-H Hersteller : ONSEMI ONSMS35732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - ECH8308-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 228001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8308-TL-H Hersteller : ON Semiconductor 1011ech8308-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 8-Pin ECH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8308-TL-H Hersteller : ONSEMI ech8308-d.pdf ECH8308-TL-H SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8308-TL-H ECH8308-TL-H Hersteller : onsemi ech8308-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH