Produkte > ONSEMI > ECH8657-TL-H
ECH8657-TL-H

ECH8657-TL-H onsemi


ech8657-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
15000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ECH8657-TL-H onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-ECH.

Weitere Produktangebote ECH8657-TL-H nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H Hersteller : onsemi ECH8657_D-1803650.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.20 EUR
10+1.06 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H Hersteller : onsemi ech8657-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
auf Bestellung 16473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.71 EUR
17+1.07 EUR
100+0.70 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H Hersteller : ONSEMI ONSMS36012-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - ECH8657-TL-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H Hersteller : ONSEMI ech8657-d.pdf ECH8657-TL-H Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH