Produkte > ONSEMI > ECH8657-TL-H
ECH8657-TL-H

ECH8657-TL-H onsemi

ech8657-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ECH8657-TL-H onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-ECH.

Weitere Produktangebote ECH8657-TL-H nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H onsemi ECH8657_D-1803650.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+1.06 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H onsemi ech8657-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
auf Bestellung 7069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H ONN ech8657-d.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H ECH8657_D-1803650.pdf
ECH8657-TL-H
Hersteller: onsemi
MOSFET SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.2 EUR
10+1.06 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H ech8657-d.pdf
ECH8657-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
auf Bestellung 7069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8657-TL-H ech8657-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH