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ECH8657-TL-H ONSEMI


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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8657-TL-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Technische Details ECH8657-TL-H ONSEMI

Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-ECH.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H onsemi ECH8657_D-1803650.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
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ECH8657-TL-H ECH8657-TL-H onsemi ECH8657-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
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Hersteller: onsemi
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Hersteller: onsemi
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Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
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FET Feature: Logic Level Gate
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