Produkte > ONSEMI > ECH8667-TL-H
ECH8667-TL-H

ECH8667-TL-H onsemi

ECH8667_D-2310721.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
auf Bestellung 3128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.62 EUR
10+1.32 EUR
100+1.03 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ECH8667-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote ECH8667-TL-H nach Preis ab 0.69 EUR bis 1.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H onsemi ech8667-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.97 EUR
14+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H ONSEMI ech8667-d.pdf Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H ONSEMI ech8667-d.pdf Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H onsemi ech8667-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ON Semiconductor ech8667-d.pdf
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ech8667-d.pdf
ECH8667-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
auf Bestellung 2105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
9+1.97 EUR
14+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ech8667-d.pdf
ECH8667-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ech8667-d.pdf
ECH8667-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ech8667-d.pdf
ECH8667-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8667-TL-H ech8667-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH