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ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H onsemi

ech8690-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
auf Bestellung 51000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.61 EUR
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Technische Details ECH8690-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H onsemi ECH8690-D.PDF MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
auf Bestellung 681 Stücke:
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100+1.83 EUR
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500+1.44 EUR
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H onsemi ech8690-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
auf Bestellung 681 Stücke:
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28 Stücke:
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
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ECH8690-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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