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ECH8695R-TL-W

ECH8695R-TL-W onsemi

ech8695r-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.56 EUR
6000+0.52 EUR
9000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details ECH8695R-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote ECH8695R-TL-W nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI ECH8695R.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Application: charging control
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 11A
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
110+0.77 EUR
157+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W onsemi ech8695r-d.pdf MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 25898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+0.86 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W onsemi ech8695r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Part Status: Active
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
auf Bestellung 37443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI 2338000.pdf Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.5 EUR
179+1.3 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI 2338000.pdf Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.5 EUR
179+1.3 EUR
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ECH8695R-TL-W ECH8695R.PDF
ECH8695R-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Application: charging control
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 11A
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AnzahlPrivatkunde
90+0.95 EUR
110+0.77 EUR
157+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.42 EUR
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ECH8695R-TL-W
Hersteller: onsemi
MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 25898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.83 EUR
10+0.86 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ECH8695R-TL-W
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Part Status: Active
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
auf Bestellung 37443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
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ECH8695R-TL-W 2338000.pdf
ECH8695R-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.5 EUR
179+1.3 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ECH8695R-TL-W 2338000.pdf
ECH8695R-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+2.5 EUR
179+1.3 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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