Produkte > ONSEMI > EFC6612R-TF
EFC6612R-TF

EFC6612R-TF onsemi

EFC6612R.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 5000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details EFC6612R-TF onsemi

Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote EFC6612R-TF nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EFC6612R-TF EFC6612R-TF ONSEMI ONSMS38838-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1768995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6612R-TF EFC6612R-TF onsemi EFC6612R.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
auf Bestellung 9959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
50+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6612R-TF EFC6612R-TF onsemi EFC6612R.pdf MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+2.05 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6612R-TF ONSMS38838-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EFC6612R-TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1768995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6612R-TF EFC6612R.pdf
EFC6612R-TF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
auf Bestellung 9959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
50+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC6612R-TF EFC6612R.pdf
EFC6612R-TF
Hersteller: onsemi
MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.27 EUR
10+2.05 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH