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EFC6612R-TF

EFC6612R-TF onsemi

EFC6612R.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 25000 Stücke:
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Technische Details EFC6612R-TF onsemi

Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote EFC6612R-TF nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EFC6612R-TF EFC6612R-TF Hersteller : onsemi EFC6612R.pdf MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
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2+2.31 EUR
10+1.45 EUR
100+0.97 EUR
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EFC6612R-TF EFC6612R-TF Hersteller : onsemi EFC6612R.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
auf Bestellung 29965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.67 EUR
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EFC6612R-TF EFC6612R-TF Hersteller : ONSEMI ONSMS38838-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1768995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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EFC6612R-TF Hersteller : ON Semiconductor 238ena2329-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin CSP T/R
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EFC6612R-TF EFC6612R-TF Hersteller : ON Semiconductor 238ena2329-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin CSP T/R
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