EM6J1T2R Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details EM6J1T2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote EM6J1T2R nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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EM6J1T2R | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs FET Dual Pch -20V -200mA EMT6 |
auf Bestellung 138010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EM6J1T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: EMT6 |
auf Bestellung 14854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EM6J1T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EM6J1T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |