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EM6K7T2CR

EM6K7T2CR ROHM Semiconductor

em6k7-e
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET
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Technische Details EM6K7T2CR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EM6K7T2CR EM6K7T2CR ROHM em6k7-e.pdf Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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EM6K7T2CR EM6K7T2CR ROHM em6k7-e.pdf Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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EM6K7T2CR EM6K7T2CR Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
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EM6K7T2CR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6K7T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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