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EM6M2T2R

EM6M2T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 56500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.32 EUR
16000+0.3 EUR
24000+0.29 EUR
40000+0.27 EUR
56000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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Technische Details EM6M2T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM SEMICONDUCTOR EM6M2T2R.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.2/-0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8/±10V
On-state resistance: 1/1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.8 EUR
144+0.6 EUR
228+0.37 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
auf Bestellung 23383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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EM6M2T2R EM6M2T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 58578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM em6m2t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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EM6M2T2R EM6M2T2R ROHM em6m2t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
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EM6M2T2R
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.2/-0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8/±10V
On-state resistance: 1/1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
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AnzahlPrivatkunde
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144+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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EM6M2T2R
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
auf Bestellung 23383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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EM6M2T2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 58578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
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EM6M2T2R em6m2t2r-e.pdf
EM6M2T2R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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EM6M2T2R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6M2T2R - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
368+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
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