EMB11FHAT2R Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP 100MA EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 0.58 EUR |
| 44+ | 0.40 EUR |
| 100+ | 0.20 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2000+ | 0.10 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details EMB11FHAT2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote EMB11FHAT2R nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMB11FHAT2R | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP SOT-563 -50V VCC -0.1A IC |
auf Bestellung 5018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
EMB11FHAT2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
EMB11FHAT2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMB11FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| EMB11FHAT2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
|
|
EMB11FHAT2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2PNP 100MA EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| EMB11FHAT2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |