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EMD22T2R

EMD22T2R Rohm Semiconductor

emd22t2r-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3429 Stücke:
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Technische Details EMD22T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

Weitere Produktangebote EMD22T2R nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EMD22T2R EMD22T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA
auf Bestellung 6795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.54 EUR
100+0.38 EUR
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EMD22T2R EMD22T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 4715 Stücke:
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20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
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EMD22 T2R ROHM SOT23-6
auf Bestellung 5090 Stücke:
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Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA
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EMD22T2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
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EMD22 T2R
Hersteller: ROHM
SOT23-6
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