EMD22T2R

EMD22T2R Rohm Semiconductor


emd22t2r-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
817+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.16 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 817
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details EMD22T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

Weitere Produktangebote EMD22T2R nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
EMD22T2R EMD22T2R Hersteller : Rohm Semiconductor emd22t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
817+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 817
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD22T2R EMD22T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 7385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.70 EUR
32+0.55 EUR
100+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD22T2R EMD22T2R Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA
auf Bestellung 6795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.48 EUR
100+0.33 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.22 EUR
8000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD22 T2R Hersteller : ROHM SOT23-6
auf Bestellung 5090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD22T2R Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMD22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMD22T2R Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EMD22T2R EMD22T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH