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EMD29T2R

EMD29T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMD29&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details EMD29T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz, Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

Weitere Produktangebote EMD29T2R nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EMD29T2R EMD29T2R Rohm Semiconductor emd29t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
463+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 463 Stücke
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EMD29T2R EMD29T2R Rohm Semiconductor emd29t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 1664 Stücke:
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EMD29T2R EMD29T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD29&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
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Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
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