Produkte > ONSEMI > EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G

EMD4DXV6T1G onsemi

emd4dxv6-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details EMD4DXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote EMD4DXV6T1G nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G Hersteller : onsemi EMD4DXV6_D-2310988.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
auf Bestellung 7238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.66 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G Hersteller : onsemi emd4dxv6-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 7985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+0.88 EUR
27+ 0.65 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
EMD4DXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor emd4dxv6-d.pdf
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)