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EMF18XV6T5G

EMF18XV6T5G onsemi

emf18xv6t5-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
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Technische Details EMF18XV6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 140MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
EMF18XV6T5G EMF18XV6T5G onsemi EMF18XV6T5_D-2310896.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP
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