Technische Details EMG2DXV5T5G onsemi
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN, Bauform - Transistor: SOT-553, Bauform - HF-Transistor: SOT-553, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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EMG2DXV5T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN Bauform - Transistor: SOT-553 Bauform - HF-Transistor: SOT-553 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EMG2DXV5T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SOT-553 productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EMG2DXV5T5G | Hersteller : onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553 |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EMG2DXV5T5G | Hersteller : ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN |
auf Bestellung 5690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EMG2DXV5T5G | Hersteller : ONSEMI | EMG2DXV5T5G NPN SMD transistors |
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