EMG2DXV5T5G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.8 EUR |
| 524+ | 0.4 EUR |
| 1099+ | 0.19 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details EMG2DXV5T5G ONSEMI
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SOT-553, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote EMG2DXV5T5G nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMG2DXV5T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SOT-553 Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
EMG2DXV5T5G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553 |
auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
|
|
EMG2DXV5T5G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553 |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| EMG2DXV5T5G | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN |
auf Bestellung 5690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| EMG2DXV5T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 1.15 EUR |
| 291+ | 0.8 EUR |
| 524+ | 0.4 EUR |
| EMG2DXV5T5G |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| EMG2DXV5T5G |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| EMG2DXV5T5G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN
auf Bestellung 5690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)