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EMG2DXV5T5G

EMG2DXV5T5G onsemi

emg5dxv5-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
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Technische Details EMG2DXV5T5G onsemi

Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SOT-553, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
EMG2DXV5T5G EMG2DXV5T5G Hersteller : ONSEMI 2907496.pdf Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 636 Stücke:
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EMG2DXV5T5G EMG2DXV5T5G Hersteller : ONSEMI 2907496.pdf Description: ONSEMI - EMG2DXV5T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SOT-553
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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EMG2DXV5T5G EMG2DXV5T5G Hersteller : onsemi emg5dxv5-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
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EMG2DXV5T5G Hersteller : ON Semiconductor EMG5DXV5-D-111844.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual BRT NPN
auf Bestellung 5690 Stücke:
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EMG2DXV5T5G Hersteller : ONSEMI emg5dxv5-d.pdf EMG2DXV5T5G NPN SMD transistors
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