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EMH2801-TL-H

EMH2801-TL-H onsemi


Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 8EMH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-EMH
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
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Technische Details EMH2801-TL-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 8EMH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: 8-EMH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V.

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EMH2801-TL-H ONN
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EMH2801-TL-H
Hersteller: ONN
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