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EMH3T2R

EMH3T2R Rohm Semiconductor

emh3t2r-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
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Technische Details EMH3T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EMH3T2R EMH3T2R Hersteller : Rohm Semiconductor emh3t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
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EMH3T2R EMH3T2R Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMH3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA
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EMH3T2R EMH3T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMH3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
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EMH3T2R Hersteller : ROHM datasheet?p=EMH3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 08+ SMD
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EMH3 T2R Hersteller : ROHM EMT6 SOT563
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EMH3T2R Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMH3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMH3T2R NPN SMD transistors
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EMH3T2R EMH3T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMH3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
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