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EMH3FHAT2R

EMH3FHAT2R Rohm Semiconductor

emh3fha-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+0.71 EUR
41+0.52 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Technische Details EMH3FHAT2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: EMT6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EMH3FHAT2R EMH3FHAT2R ROHM Semiconductor emh3fha-e.pdf Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive
auf Bestellung 4986 Stücke:
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500+0.26 EUR
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EMH3FHAT2R Rohm Semiconductor emh3fha-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 7683 Stücke:
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1037+0.17 EUR
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