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EMZ1T2R

EMZ1T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: EMT6
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Technische Details EMZ1T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMZ1T2R - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EMZ1T2R EMZ1T2R Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA
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EMZ1T2R EMZ1T2R Hersteller : ROHM umz1ntr-e.pdf Description: ROHM - EMZ1T2R - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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EMZ1-T2R Hersteller : ROHM
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EMZ1 T2R Hersteller : ROHM SOT26/SOT363
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EMZ1T2R Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMZ1T2R Complementary transistors
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EMZ1T2R EMZ1T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
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