ES1BL R3G Taiwan Semiconductor
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| 32+ | 1.66 EUR |
| 37+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 1800+ | 0.59 EUR |
| 3600+ | 0.55 EUR |
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Technische Details ES1BL R3G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1B, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote ES1BL R3G nach Preis ab 0.88 EUR bis 1.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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ES1BL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
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ES1BL R3G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2021 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1BL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
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