ES1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation


ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
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Technische Details ES1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1B, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote ES1BL R3G nach Preis ab 0.075 EUR bis 0.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ES1BL R3G Taiwan Semiconductor ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Rectifier Diode Switching 100V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R
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