ES3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation



Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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Technische Details ES3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ES3D R6G ES3D R6G Taiwan Semiconductor Rectifiers 35ns, 3A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns, 3A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
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