ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 12000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: MicroSMA, Durchlassstoßstrom: 15A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ESH1xM Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ESH1DM nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ESH1DM | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 1A MICRO SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Micro SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ESH1DM | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMA Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ESH1xM Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESH1DM | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMA Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ESH1xM Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESH1DM | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 25ns, 1A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier |
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