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F3L200R12W2H3B11BPSA1

F3L200R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies


INFN-S-A0003614543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V
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Technische Details F3L200R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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F3L200R12W2H3B11BPSA1 F3L200R12W2H3B11BPSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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F3L200R12W2H3B11BPSA1 F3L200R12W2H3B11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4723185847627460dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249cd101.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray
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