F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies
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| 1+ | 63.98 EUR |
| 10+ | 60.30 EUR |
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Technische Details F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 45A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 19Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 45A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote F3L25R12W1T4B27BOMA1 nach Preis ab 37.89 EUR bis 70.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 215 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
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F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 45A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 215W euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 19Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Easy PACK IGBT module |
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| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Easy PACK IGBT module |
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| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Easy PACK IGBT module |
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| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Easy PACK IGBT module |
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