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F3L25R12W1T4B27BOMA1

F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies

Infineon_F3L25R12W1T4_B27_DS_v02_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
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Technische Details F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, Verlustleistung: 215W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 45A, Anzahl der Pins: 19Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 45A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote F3L25R12W1T4B27BOMA1 nach Preis ab 48.45 EUR bis 70.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063 Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
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F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 INFINEON INFN-S-A0003823518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
Verlustleistung: 215W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
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F3L25R12W1T4B27BOMA1 INFN-S-A0003823518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
Verlustleistung: 215W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 45A
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