F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA
auf Bestellung 15 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 459.29 EUR |
| 15+ | 451.35 EUR |
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Technische Details F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 27Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 nach Preis ab 485.3 EUR bis 485.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 27Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |